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如何进步led外延构造的内量子效力

来源：网络搜索　浏览：796次　时间：2014-04-26
如何进步led外延构造的内量子效力 外延构造的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而良多人的曲解是iqe由工艺决议，实在iqe应当是由外延资料的设计决议。而海内缺乏的偏偏是外延结构的设计人才，只会用装备的人不必定可能长出高品质的材料。下面就简略先容一下一些资料参数和结构对iqe的影响：
　　1、双异质结结构：两侧的cl（claddinglayer）的禁带宽度要大于al（activelayer），al采取量子阱结构可以更好的制约载流子，从而提升iqe。另外一方面，采取量子阱al，barriers妨碍载流子在相邻阱的挪动，所以采用多量子阱结构，barrier须要足。太阳能LED路灯价格优惠，为客户提供最优质的服务是公司的使命!精益求精,产品丰富,价格公道。够透明（低和薄）以避免载流子在每个阱内的不平均调配。al厚度也对iqe有很大影响，不能太厚，也不能太薄，每种材料有其最佳范畴。 
　　2、al参杂：al相对不可以重参杂，要么轻参杂，低过cl的参杂浓度，每种材料有其最佳规模，al常常也不参杂。al应用p型参杂多过应用n型参杂，p型参杂可以确保载流子在al内的散布。al参杂有利益也有坏处，参杂浓度增长，辐射载流子的寿命缩短，同时导致辐射效率增添。但是，高浓度参杂也引入缺点。有趣的是mocvd成长在有些时候还依附于参杂，杂质可以作为表面活化剂，增长表面扩散系数，从而改良晶体品质。例如，ingan使用si参杂就可以改良晶体质量。 
　　3、cl参杂：cl的电阻率是决定cl浓度的主要参数，浓度必定要低到不足以在cl中发生热效应，但是cl参杂又必须高过al用来定义pn结的。景观庭院路灯生产、批发、安装一条龙服务,欢迎各界采购,我们将竭诚为您服务!地位。每种材料有其最佳规模。然而p型浓度典范要高过n型。cl中p型杂质浓渡过低将使电子从al中逸出，从而下降iqe。 
　　4、晶格匹配：阴极荧光显示发亮的l。LED太阳能路灯节能环保,光照时间长,款式齐全,厂家直销。ed，其穿插的位错线是浮现玄色的，能够推断晶格不匹配增添，iqe降落。固然gaas跟inp中晶格匹配跟iqe显示很强的关联，然而gan中这种关联却不显明，这重要是gan中位错的电学活性很低，另外，载流子在gan的扩散长度很短，假如位错间的均匀间隔大于扩散长度，特殊是空穴的扩散长度，那么位错上的非辐射复合就不重大。另外一种说明是，ingan之所以存在高效力是由于化合物的成分稳定限度了载流子扩散到位错线。 
　　5、pn结移位：个别上cl是p型，下cl是n型。pn结移位会影响iqe，特殊是zn、be等小原子，能够容易扩散过al，到下cl。同时，zn、be的扩散系数很显著有浓度依附性，当浓度超过极限，扩散速度大大进步，所以必须非常警惕。 
　　6、非辐射复合：名义必需分开al多少个扩散长度的间隔，这就是mesa型led曝露al，其iqe远远低于planar的rcled的起因。须要指出的是曝露的表面假如只有一种载流子，则不影响iqe。 
　　由此可见，mocvd象艺术多过象技巧，许多参数都是一种动态均衡当选取最佳范畴，而且这仍是看单一影响，如果复合效果则更加庞杂，有时只有教训，而不实践和公式，甚至变换装备也不可行的根据，所以咱们在mocvd人才引进上要看其工艺技术的功底、以及其所处环境的技巧气氛和底蕴。